პროდუქტები

პროდუქტები

ფლანგიანი რეზისტორი

ფლანგიანი რეზისტორი ერთ-ერთი ყველაზე ხშირად გამოყენებული პასიური კომპონენტია ელექტრონულ სქემებში, რომელსაც აქვს მიკროსქემის დაბალანსების ფუნქცია. ის აღწევს მიკროსქემის სტაბილურ მუშაობას წრეში წინააღმდეგობის მნიშვნელობის რეგულირებით, რათა მიაღწიოს დაბალანსებულ დენის ან ძაბვის მდგომარეობას.ის მნიშვნელოვან როლს ასრულებს ელექტრონულ მოწყობილობებსა და საკომუნიკაციო სისტემებში.

წრეში, როდესაც წინააღმდეგობის მნიშვნელობა დაუბალანსებულია, იქნება დენის ან ძაბვის არათანაბარი განაწილება, რაც გამოიწვევს მიკროსქემის არასტაბილურობას.ფლანგიანი რეზისტორს შეუძლია დააბალანსოს დენის ან ძაბვის განაწილება წრეში წინააღმდეგობის რეგულირებით.ფლანგის ბალანსის რეზისტორი არეგულირებს წინააღმდეგობის მნიშვნელობას წრედში, რათა თანაბრად გადაანაწილოს დენი ან ძაბვა თითოეულ ტოტში, რითაც მიიღწევა მიკროსქემის დაბალანსებული მუშაობა.


პროდუქტის დეტალი

პროდუქტის ტეგები

ფლანგიანი რეზისტორი

ნომინალური სიმძლავრე: 10-800W;

სუბსტრატის მასალები: BeO, AlN, Al2O3

წინააღმდეგობის ნომინალური მნიშვნელობა: 100 Ω (10-3000 Ω სურვილისამებრ)

წინააღმდეგობის ტოლერანტობა: ± 5%, ± 2%, ± 1%

ტემპერატურის კოეფიციენტი: < 150ppm/℃

ოპერაციული ტემპერატურა: -55~+150 ℃

ფლანგის საფარი: სურვილისამებრ ნიკელის ან ვერცხლის მოოქროვილი

ROHS სტანდარტი: შეესაბამება

მოქმედი სტანდარტი: Q/RFTYTR001-2022

მიდის სიგრძე: L, როგორც მითითებულია სპეციფიკაციების ფურცელში (შეიძლება მორგებული იყოს მომხმარებლის მოთხოვნების შესაბამისად)

ფლანგზე დამაგრების რეზისტორი Fig 1,2

Მონაცემთა ფურცელი

Ძალა
W
ტევადობა
PF@100Ω
ზომა (ერთეული: მმ) სუბსტრატის მასალა კონფიგურაცია მონაცემთა ცხრილი (PDF)
A B C D E H G W L J Φ
10 2.4 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 4.0 / 3.1 AlN ნახ.2 RFTXXN-10RM7750
1.2 / BeO ნახ.2 RFTXX-10RM7750
Ძალა
W
ტევადობა
PF@100Ω
ზომა (ერთეული: მმ) სუბსტრატის მასალა კონფიგურაცია მონაცემთა ცხრილი (PDF)
A B C D E H G W L J Φ
20 2.3 9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.6 1.0 4.0 / 2.0 AlN ნახ.2 RFTXXN-20RM0904
1.2 / BeO ნახ.2 RFTXX-20RM0904
2.3 11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.6 1.0 3.0 / 2.0 AlN სურ.1 RFTXXN-20RM1104
1.2 / BeO სურ.1 RFTXX-20RM1104
2.3 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.6 1.0 4.0   2.0 AlN სურ.1 RFTXXN-20RM1304
1.2 / BeO სურ.1 RFTXX-20RM1304
Ძალა
W
ტევადობა
PF@100Ω
ზომა (ერთეული: მმ) სუბსტრატის მასალა კონფიგურაცია მონაცემთა ცხრილი (PDF)
A B C D E H G W L J Φ
30 1.2 9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.6 1.0 4.0 / 2.0 BeO ნახ.2 RFTXX-30RM0904
1.2 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.6 1.0 4.0 / 2.0 BeO სურ.1 RFTXX-30RM1304
2.9 13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.3 1.0 5.0 / 3.2 AlN ნახ.2 RFTXXN-30RM1306
2.6 / BeO ნახ.2 RFTXX-30RM1306
1.2 13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 5.0 5.9 1.0 5.0 / 3.2 BeO ნახ.2 RFTXX-30RM1306F
2.9 20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.3 1.0 5.0 / 3.2 AlN სურ.1 RFTXXN-30RM2006
2.6 / BeO სურ.1 RFTXX-30RM2006
1.2 20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 5.0 5.9 1.0 5.0 / 3.2 BeO სურ.1 RFTXX-30RM2006F
Ძალა
W
ტევადობა
PF@100Ω
ზომა (ერთეული: მმ) სუბსტრატის მასალა კონფიგურაცია მონაცემთა ცხრილი (PDF)
A B C D E H G W L J Φ
60 ვტ 2.9 13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.3 1.0 5.0 / 3.2 AlN ნახ.2 RFTXXN-60RM1306
2.6 / BeO ნახ.2 RFTXX-60RM1306
1.2 13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 5.0 5.9 1.0 5.0 / 3.2 BeO ნახ.2 RFTXX-60RM1306F
2.9 20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.3 1.0 5.0 / 3.2 AlN სურ.1 RFTXXN-60RM2006
2.6 / BeO სურ.1 RFTXX-60RM2006
1.2 20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 5.0 5.9 1.0 5.0 / 3.2 BeO სურ.1 RFTXX-60RM2006F
Ძალა
W
ტევადობა
PF@100Ω
ზომა (ერთეული: მმ) სუბსტრატის მასალა კონფიგურაცია მონაცემთა ცხრილი (PDF)
A B C D E H G W L J Φ
100 2.6 16.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.3 1.0 5.0 / 3.2 BeO ნახ.2 RFTXX-100RM1306
2.1 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN სურ.1 RFTXXN-100RJ2006B
2.1 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.5 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN სურ.1 RFTXXN-100RJ1606B
3.9 22.0 9.5 14.2 6.35 1.5 2.5 3.3 1.4 6.0 / 4.0 BeO სურ.1 RFTXX-100RM2295
5.6 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.5 3.3 2.4 6.0 / 3.2 BeO სურ.4 RFTXX-100RM1610
5.6 23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 2.5 3.3 2.4 6.0 / 3.2 BeO ნახ.3 RFTXX-100RM2310
5.6 24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.0 5.0 2.4 6.0 / 3.5 BeO სურ.1 RFTXX-100RM2510
4.0 4.5 5.3 / სურ.1 RFTXX-100RM2510B
Flange Mount Resistor FIG 3,4,5

Ძალა
W

ტევადობა
PF@100Ω
ზომები (ერთეული: მმ) სუბსტრატი
მასალა
კონფიგურაცია მონაცემთა ცხრილი (PDF)
A B C D E H G W L J Φ
150 W 3.9 22.0 9.5 14.2 6.35 1.5 2.5 3.3 1.4 6.0 / 4.0 BeO სურ.1 RFTXX-150RM2295
5.6 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.5 3.3 2.4 6.0 / 3.2 BeO სურ.4 RFTXX-150RM1610
5.6 23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 2.5 3.3 2.4 6.0 / 3.2 BeO ნახ.3
RFTXX-150RM2310
5.0 24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.0 5.0 2.4 6.0 / 3.5 BeO სურ.1 RFTXX-150RM2510
Ძალა
W
ტევადობა
PF@100Ω
ზომები (ერთეული: მმ) სუბსტრატის მასალა კონფიგურაცია მონაცემთა ცხრილი (PDF)
A B C D E H G W L J Φ
250 5.6 23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.8 3.3 2.4 6.0 / 3.2 BeO ნახ.3 RFTXX-250RM2310
5.6 24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.0 4.8 2.4 6.0 / 3.5 BeO სურ.1 RFTXX-250RM2510
4.0 10.0 3.0 4.5 5.3 2.4 6.0 / 3.5 BeO სურ.1 RFTXX-250RM2510B
5.0 27.0 10.0 21.0 10.0 2.5 3.5 4.3 2.4 6.0 / 3.2 BeO სურ.1 RFTXX-250RM2710
Ძალა
W
ტევადობა
PF@100Ω
ზომები (ერთეული: მმ) სუბსტრატის მასალა კონფიგურაცია მონაცემთა ცხრილი (PDF)
A B C D E H G W L J Φ
300 5.0 24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.0 4.8 2.4 6.0 / 3.5 BeO სურ.1
RFTXX-300RM2510
4.0 24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.5 5.3 2.4 6.0 / 3.5 BeO სურ.1
RFTXX-300RM2510B
5.6 27.0 10.0 21.0 10.0 2.5 3.5 4.3 2.4 6.0 / 3.2 BeO სურ.1 RFTXX-300RM2710
2.0 27.8 12.7 20.0 12.7 3.0 9.0 10.0 2.4 6.0 / 4.5 BeO სურ.1 RFTXX-300RM2813K
Ძალა
W
ტევადობა
PF@100Ω
ზომები (ერთეული: მმ) სუბსტრატის მასალა კონფიგურაცია მონაცემთა ცხრილი (PDF)
A B C D E H G W L J Φ
400 8.5 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 4.5 5.5 2.4 6.0 / 4.0 BeO სურ.1 RFTXX-400RM3213
2.0 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 9.0 10.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO სურ.1 RFTXX-400RM3213K
8.5 27.8 12.7 20.0 12.7 3.0 4.5 5.5 2.4 6.0 / 4.5 BeO სურ.1
RFTXX-400RM2813
2.0 27.8 12.7 20.0 12.7 3.0 9.0 10.0 2.4 6.0 / 4.5 BeO სურ.1 RFTXX-400RM2813K
Ძალა
W
ტევადობა
PF@100Ω
ზომები (ერთეული: მმ) სუბსტრატის მასალა კონფიგურაცია მონაცემთა ცხრილი (PDF)
A B C D E H G W L J Φ
500 8.5 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 4.5 5.5 2.4 6.0 / 4.0 BeO სურ.1 RFTXX-500RM3213
2.0 9.0 10.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO სურ.1 RFTXX-500RM3213K
8.5 27.8 12.7 20.0 12.7 3.0 4.5 5.5 2.4 6.0 / 4.5 BeO სურ.1
RFTXX-500RM2813
21.8 48.0 26.0 40.0 25.4 3.0 4.6 5.2 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO სურ.5 RFTXX-500RM4826
600 21.8 48.0 26.0 40.0 25.4 3.0 4.6 5.2 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO სურ.5 RFTXX-600RM4826
800 21.8 48.0 26.0 40.0 25.4 3.0 4.6 5.2 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO სურ.5 RFTXX-800RM4826

მიმოხილვა

ფლანგირებული რეზისტორები შეიძლება ფართოდ იქნას გამოყენებული დაბალანსებულ გამაძლიერებლებში, დაბალანსებულ ხიდებსა და საკომუნიკაციო სისტემებში.
ფლანგირებული რეზისტორის წინაღობის მნიშვნელობა უნდა შეირჩეს მიკროსქემის სპეციფიკური მოთხოვნებისა და სიგნალის მახასიათებლების საფუძველზე.
ზოგადად, წინააღმდეგობის მნიშვნელობა უნდა ემთხვეოდეს მიკროსქემის დამახასიათებელ წინააღმდეგობის მნიშვნელობას, რათა უზრუნველყოს მისი ბალანსი და სტაბილური მუშაობა.
ფლანგზე დასამაგრებელი რეზისტორის სიმძლავრე უნდა შეირჩეს მიკროსქემის სიმძლავრის მოთხოვნილების მიხედვით.
ზოგადად, რეზისტორის სიმძლავრე უნდა იყოს უფრო მეტი, ვიდრე მიკროსქემის მაქსიმალური სიმძლავრე, რათა უზრუნველყოს მისი ნორმალური მუშაობა.
ფლანგიანი რეზისტორის აწყობა ხდება ფლანგისა და ორმაგი ტყვიის რეზისტორის შედუღებით.
ფლანგი შექმნილია წრედში დასაყენებლად და ასევე შეუძლია უზრუნველყოს სითბოს უკეთესი გაფრქვევა გამოყენებული რეზისტორებისთვის.

ფლანგიანი რეზისტორი ერთ-ერთი ყველაზე ხშირად გამოყენებული პასიური კომპონენტია ელექტრონულ სქემებში, რომელსაც აქვს სქემების დაბალანსების ფუნქცია.
ის არეგულირებს წინააღმდეგობის მნიშვნელობას წრედში, რათა მიაღწიოს დენის ან ძაბვის დაბალანსებულ მდგომარეობას, რითაც მიაღწევს მიკროსქემის სტაბილურ მუშაობას.
ის მნიშვნელოვან როლს ასრულებს ელექტრონულ მოწყობილობებსა და საკომუნიკაციო სისტემებში.
წრეში, როდესაც წინააღმდეგობის მნიშვნელობა დაუბალანსებელია, დენი ან ძაბვა არათანაბრად გადანაწილდება, რაც გამოიწვევს წრედის არასტაბილურობას.
ფლანგირებულ რეზისტორს შეუძლია დააბალანსოს დენის ან ძაბვის განაწილება წრეში წინააღმდეგობის რეგულირებით.
ფლანგის დამაბალანსებელი რეზისტორი არეგულირებს წინააღმდეგობის მნიშვნელობას წრედში, რათა თანაბრად გადაანაწილოს დენი ან ძაბვა სხვადასხვა ტოტებზე, რითაც მიიღწევა მიკროსქემის დაბალანსებული მუშაობა.
ფლანგიანი ტყვიის რეზისტორი შეიძლება ფართოდ იყოს გამოყენებული დაბალანსებულ გამაძლიერებლებში, დაბალანსებულ ხიდებსა და საკომუნიკაციო სისტემებში.
ფლანგის ორმაგი მილის წინაღობის მნიშვნელობა უნდა შეირჩეს მიკროსქემის სპეციფიკური მოთხოვნებისა და სიგნალის მახასიათებლების საფუძველზე.
ზოგადად, წინააღმდეგობის მნიშვნელობა უნდა ემთხვეოდეს მიკროსქემის დამახასიათებელ წინააღმდეგობის მნიშვნელობას, რათა უზრუნველყოს მიკროსქემის წონასწორობა და სტაბილური მუშაობა.
ფლანგირებული რეზისტორის სიმძლავრე უნდა შეირჩეს მიკროსქემის სიმძლავრის მოთხოვნების შესაბამისად.
ზოგადად, რეზისტორის სიმძლავრე უნდა იყოს უფრო მეტი, ვიდრე მიკროსქემის მაქსიმალური სიმძლავრე, რათა უზრუნველყოს მისი ნორმალური მუშაობა.
ფლანგიანი რეზისტორი იკრიბება ფლანგისა და ორმაგი ტყვიის რეზისტორის შედუღებით.
ფლანგი განკუთვნილია სქემებში დასაყენებლად და ასევე შეუძლია უზრუნველყოს რეზისტორებისთვის სითბოს უკეთესი გაფრქვევა გამოყენების დროს.
ჩვენს კომპანიას ასევე შეუძლია მორგება მილტუჩებისა და რეზისტორების კონკრეტული მომხმარებლის მოთხოვნების შესაბამისად.


  • წინა:
  • შემდეგი:

  • დაწერეთ თქვენი მესიჯი აქ და გამოგვიგზავნეთ