პროდუქტები
ჩიპის რეზისტორი
ჩიპის რეზისტორი
ნომინალური სიმძლავრე: 2-30W;
სუბსტრატის მასალები: BeO, AlN, Al2O3
წინააღმდეგობის ნომინალური მნიშვნელობა: 100 Ω (10-3000 Ω სურვილისამებრ)
წინააღმდეგობის ტოლერანტობა: ± 5%, ± 2%, ± 1%
ტემპერატურის კოეფიციენტი: <150ppm/℃
სამუშაო ტემპერატურა: -55~+150 ℃
ROHS სტანდარტი: შეესაბამება
შესაბამისი სტანდარტი: Q/RFTYTR001-2022
მონაცემთა ფურცელი
| სიმძლავრე (დას) | ზომა (ერთეული: მმ) | სუბსტრატის მასალა | კონფიგურაცია | მონაცემთა ფურცელი (PDF) | ||||
| A | B | C | D | H | ||||
| 2 | 2.2 | 1.0 | 0.5 | არ არის ხელმისაწვდომი | 0.4 | ბეო | სურათი B | RFTXX-02CR1022B |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | არ არის ხელმისაწვდომი | 1.0 | ალნ | სურათი B | RFTXXN-02CR2550B | |
| 3.0 | 1.5 | 0.3 | 1.5 | 0.4 | ალნ | ფიგურა C | RFTXXN-02CR1530C | |
| 6.5 | 3.0 | 1.00 | არ არის ხელმისაწვდომი | 0.6 | Al2O3 | სურათი B | RFTXXA-02CR3065B | |
| 5 | 2.2 | 1.0 | 0.4 | 0.6 | 0.4 | ბეო | ფიგურა C | RFTXX-05CR1022C |
| 3.0 | 1.5 | 0.3 | 1.5 | 0.38 | ალნ | ფიგურა C | RFTXXN-05CR1530C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | არ არის ხელმისაწვდომი | 1.0 | ბეო | სურათი B | RFTXX-05CR2550B | |
| 5.0 | 2.5 | 1.3 | 1.0 | 1.0 | ბეო | ფიგურა C | RFTXX-05CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.3 | არ არის ხელმისაწვდომი | 1.0 | ბეო | ფიგურა W | RFTXX-05CR2550W | |
| 6.5 | 6.5 | 1.0 | არ არის ხელმისაწვდომი | 0.6 | Al2O3 | სურათი B | RFTXXA-05CR6565B | |
| 10 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | არ არის ხელმისაწვდომი | 1.0 | ალნ | სურათი B | RFTXXN-10CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 2.12 | არ არის ხელმისაწვდომი | 1.0 | ბეო | სურათი B | RFTXX-10CR2550TA | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | ალნ | ფიგურა C | RFTXXN-10CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | ბეო | ფიგურა C | RFTXX-10CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | არ არის ხელმისაწვდომი | 1.0 | ბეო | ფიგურა W | RFTXX-10CR2550W | |
| 20 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | არ არის ხელმისაწვდომი | 1.0 | ალნ | სურათი B | RFTXXN-20CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 2.12 | არ არის ხელმისაწვდომი | 1.0 | ბეო | სურათი B | RFTXX-20CR2550TA | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | ალნ | ფიგურა C | RFTXXN-20CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | ბეო | ფიგურა C | RFTXX-20CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | არ არის ხელმისაწვდომი | 1.0 | ბეო | ფიგურა W | RFTXXN-20CR2550W | |
| 30 | 5.0 | 2.5 | 2.12 | არ არის ხელმისაწვდომი | 1.0 | ბეო | სურათი B | RFTXX-30CR2550TA |
| 5.0 | 2.5 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | ალნ | ფიგურა C | RFTXX-30CR2550C | |
| 5.0 | 2.5 | 1.25 | არ არის ხელმისაწვდომი | 1.0 | ბეო | ფიგურა W | RFTXXN-30CR2550W | |
| 6.35 | 6.35 | 1.0 | 2.0 | 1.0 | ბეო | ფიგურა C | RFTXX-30CR6363C | |
მიმოხილვა
ჩიპური რეზისტორი, ასევე ცნობილი როგორც ზედაპირული სამონტაჟო რეზისტორი, ფართოდ გამოიყენება ელექტრონულ მოწყობილობებსა და მიკროსქემებში. მისი მთავარი მახასიათებელია პირდაპირ დამონტაჟება მიკროსქემურ დაფაზე ზედაპირული სამონტაჟო ტექნოლოგიის (SMD) მეშვეობით, ქინძისთავების პერფორაციის ან შედუღების გარეშე.
ტრადიციულ რეზისტორებთან შედარებით, ჩვენი კომპანიის მიერ წარმოებულ ჩიპურ რეზისტორებს აქვთ უფრო მცირე ზომისა და უფრო მაღალი სიმძლავრის მახასიათებლები, რაც მიკროსქემის დაფების დიზაინს უფრო კომპაქტურს ხდის.
მონტაჟისთვის შესაძლებელია ავტომატიზირებული აღჭურვილობის გამოყენება, ხოლო ჩიპურ რეზისტორებს აქვთ უფრო მაღალი წარმოების ეფექტურობა და მათი დიდი რაოდენობით წარმოება შესაძლებელია, რაც მათ მასშტაბური წარმოებისთვის შესაფერისს ხდის.
წარმოების პროცესს აქვს მაღალი განმეორებადობა, რაც უზრუნველყოფს სპეციფიკაციის თანმიმდევრულობას და კარგი ხარისხის კონტროლს.
ჩიპურ რეზისტორებს აქვთ უფრო დაბალი ინდუქციურობა და ტევადობა, რაც მათ შესანიშნავს ხდის მაღალი სიხშირის სიგნალის გადაცემისა და რადიოსიხშირული აპლიკაციებისთვის.
ჩიპური რეზისტორების შედუღების შეერთება უფრო უსაფრთხოა და ნაკლებად მგრძნობიარეა მექანიკური სტრესის მიმართ, ამიტომ მათი საიმედოობა, როგორც წესი, უფრო მაღალია, ვიდრე დანამატის რეზისტორების.
ფართოდ გამოიყენება სხვადასხვა ელექტრონულ მოწყობილობებსა და მიკროსქემებში, მათ შორის საკომუნიკაციო მოწყობილობებში, კომპიუტერულ აპარატურაში, სამომხმარებლო ელექტრონიკაში, საავტომობილო ელექტრონიკაში და ა.შ.
ჩიპური რეზისტორების შერჩევისას აუცილებელია გაითვალისწინოთ ისეთი სპეციფიკაციები, როგორიცაა წინააღმდეგობის მნიშვნელობა, სიმძლავრის გაფრქვევის უნარი, ტოლერანტობა, ტემპერატურის კოეფიციენტი და შეფუთვის ტიპი გამოყენების მოთხოვნების შესაბამისად.
