პროდუქტები

პროდუქტები

ფლანგური შეწყვეტა

წრედის ბოლოში დამონტაჟებულია ფლანგური შემაერთებლები, რომლებიც შთანთქავენ წრედში გადაცემულ სიგნალებს და ხელს უშლიან სიგნალის არეკვლას, რითაც გავლენას ახდენენ წრედის სისტემის გადაცემის ხარისხზე. ფლანგური ტერმინალი აწყობილია ერთგამტარი ტერმინალური რეზისტორის შედუღებით ფლანგებითა და პატჩებით. ფლანგის ზომა, როგორც წესი, იქმნება სამონტაჟო ხვრელებისა და ტერმინალის წინაღობის ზომების კომბინაციის საფუძველზე. მორგება ასევე შესაძლებელია მომხმარებლის გამოყენების მოთხოვნების შესაბამისად.


  • ნომინალური სიმძლავრე:5-1500W
  • სუბსტრატის მასალები:BeO, AlN, Al2O3
  • ნომინალური წინააღმდეგობის მნიშვნელობა:50 ომეგი
  • წინააღმდეგობის ტოლერანტობა:±5%, ±2%, ±1%
  • ტემპერატურის კოეფიციენტი:<150 ppm/℃
  • ოპერაციული ტემპერატურა:-55~+150℃
  • ფლანგის საფარი:ნიკელის ან ვერცხლის მოპირკეთება სურვილისამებრ
  • ROHS სტანდარტი:თავსებადი
  • ლიდვის სიგრძე:L, როგორც მითითებულია მონაცემთა ფურცელში
  • ინდივიდუალური დიზაინი ხელმისაწვდომია მოთხოვნის შემთხვევაში:
  • პროდუქტის დეტალები

    პროდუქტის ტეგები

    ფლანგური შეწყვეტა

    ფლანგური შეწყვეტა
    ძირითადი ტექნიკური მახასიათებლები:

    ნომინალური სიმძლავრე: 5-1500W;
    სუბსტრატის მასალები: BeO, AlN, Al2O3
    ნომინალური წინააღმდეგობის მნიშვნელობა: 50Ω
    წინააღმდეგობის ტოლერანტობა: ±5%, ±2%, ±1%
    ტემპერატურის კოეფიციენტი: <150ppm/℃
    სამუშაო ტემპერატურა: -55~+150℃
    ფლანგის საფარი: ნიკელის ან ვერცხლის მოოქროვება სურვილისამებრ
    ROHS სტანდარტი: შეესაბამება
    შესაბამისი სტანდარტი: Q/RFTYTR001-2022
    ლიდიუმის სიგრძე: L, როგორც მითითებულია მონაცემთა ფურცელში
    (შეიძლება მორგებული იყოს მომხმარებლის მოთხოვნების შესაბამისად)

    zxczxc1
    სიმძლავრე
    (დას)
    სიხშირე
    დიაპაზონი
    ზომა (ერთეული: მმ) სუბსტრატიმასალა კონფიგურაცია მონაცემთა ფურცელი
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 გჰც 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  სურ. 1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  სურ. 1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  სურ. 2   RFT50A-05TM0904(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
    10 ვატი 4 გჰც 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 ბეო სურ. 2   RFT50-10TM7750((მარჯვნივ, მარცხნივ))
    6 გჰც 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  სურ. 1   RFT50A-10TM1304
    ალნ სურ. 1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  სურ. 1   RFT50A-10TM1104
    ალნ სურ. 1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 სურ. 2   RFT50A-10TM0904(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
      ალნ სურ. 2   RFT50N-10TJ0904(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
    8 გჰც 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 ბეო სურ. 1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 ბეო სურ. 1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 ბეო სურ. 2   RFT50-10TM0904(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
    18 გჰც 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 ბეო სურ. 2   RFT50-10TM7750I
    20 ვატი 4 გჰც 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 ბეო სურ. 2   RFT50-20TM7750((მარჯვნივ, მარცხნივ))
    6 გჰც 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 ალნ სურ. 1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 ალნ სურ. 1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 ალნ სურ. 2   RFT50N-20TJ0904(მარჯვნივ, მარცხნივ, ირგვლივ)
    8 გჰც 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 ბეო სურ. 1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 ბეო სურ. 1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 ბეო სურ. 2   RFT50-10TM0904(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
    18 გჰც 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 ბეო სურ. 2   RFT50-10TM7750I
    30 ვატი 6 გჰც 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 ალნ სურ. 1   RFT50N-30TJ1606
    ბეო სურ. 1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ალნ სურ. 1   RFT50N-30TJ2006
    ბეო სურ. 1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ალნ სურ. 2   RFT50N-30TJ1306(მარჯვნივ, მარცხნივ, ირგვლივ)
    3.0 ბეო სურ. 2   RFT50-30TM1306(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
    60 ვატი 6 გჰც 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 ალნ სურ. 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 ბეო სურ. 1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ალნ სურ. 1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 ბეო სურ. 1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ალნ სურ. 2   RFT50N-60TJ1306(მარჯვნივ, მარცხნივ, ირგვლივ)
    3.2 ბეო სურ. 2   RFT50-60TM1306(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
    法兰式终端FIG3,4,5
    სიმძლავრე
    (დას)
    სიხშირე
    დიაპაზონი
    ზომები (ერთეული: მმ) სუბსტრატი
    მასალა
    კონფიგურაცია მონაცემთა ფურცელი (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 ვატი 3 გჰც 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 ბეო სურ. 1   RFT50-100TM2595
    4 გჰც 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 ბეო სურ. 2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ბეო სურ. 1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 ბეო სურ. 1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 ბეო სურ. 4   RFT50-100TJ1610(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 ბეო სურ. 1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 ბეო სურ. 1   RFT50-100TJ2510
    5 გჰც 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 ბეო სურ. 2   RFT50-100TJ1363(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 ბეო სურ. 1   RFT50-100TM1663
    6 გჰც 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 ალნ სურ. 1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ალნ სურ. 1   RFT50N-100TJ2006B
    8 გჰც 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 ალნ სურ. 1   RFT50N-100TJ2006C
    150 ვატი 3 გჰც 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 ბეო სურ. 4   RFT50-150TM1610(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN სურ. 1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 ბეო სურ. 1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 ბეო სურ. 1   RFT50-150TM2510
    4 გჰც 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 ბეო სურ. 4   RFT50-150TJ1610(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 ბეო სურ. 3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 ბეო სურ. 1   RFT50-150TJ2510
    200 ვატი 3 გჰც 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 ბეო სურ. 1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 ბეო სურ. 1   RFT50-200TM2510
    4 გჰც 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 ბეო სურ. 2   RFT50-200TM1610(მარჯვენა, მარცხენა, ი)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 ბეო სურ. 3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 ბეო სურ. 1   RFT50-150TJ2510
    10 გჰც 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 ბეო სურ. 1   RFT50-200TM3213B
    250 ვატი 3 გჰც 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 ბეო სურ. 3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 ბეო სურ. 1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 ბეო სურ. 1   RFT50-250TM2710
    10 გჰც 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 ბეო სურ. 1   RFT50-250TM3213B
    300 ვატი 3 გჰც 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 ბეო სურ. 1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 ბეო სურ. 1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 ბეო სურ. 1   RFT50-300TM2710
    10 გჰც 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 ბეო სურ. 1   RFT50-300TM3213B
    400 ვატი 2 გჰც 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 ბეო სურ. 1   RFT50-400TM3213
    500 ვატი 2 გჰც 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 ბეო სურ. 1   RFT50-500TM3213
    800 ვატი 1 გჰც 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 ბეო სურ. 5   RFT50-800TM4826
    1000 ვატი 1 გჰც 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 ბეო სურ. 5   RFT50-1000TM4826
    1500 ვატი 0.8 გჰც 50.0 78.0 40.0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 ბეო სურ. 5   RFT50-1500TM5078

    მიმოხილვა

    ფლანგი, როგორც წესი, დამზადებულია სპილენძით დაფარული ნიკელით ან ვერცხლის დამუშავებით. წინააღმდეგობის სუბსტრატი, როგორც წესი, დამზადებულია ბერილიუმის ოქსიდის, ალუმინის ნიტრიდის და ალუმინის ოქსიდის ბეჭდვით, სიმძლავრის მოთხოვნებისა და სითბოს გაფრქვევის პირობების შესაბამისად.

    ფლანგური დაბოლოება, ისევე როგორც წამყვანი დაბოლოება, ძირითადად გამოიყენება წრედის ბოლოში გადაცემული სიგნალის ტალღების შთანთქმისთვის, სიგნალის არეკვლისგან წრედზე ზემოქმედების თავიდან ასაცილებლად და წრედის სისტემის გადაცემის ხარისხის უზრუნველსაყოფად.

    ფლანგურ დაბოლოებას ახასიათებს მარტივი მონტაჟი პაჩ-რეზისტორებთან შედარებით, ფლანგისა და ფლანგზე სამონტაჟო ხვრელების წყალობით.


  • წინა:
  • შემდეგი: