-
RFTXX-20CR2550TA ჩიპ-რეზისტორი RF რეზისტორი
მოდელი RFTXX-20CR2550TA სიმძლავრე 20 W წინაღობა XX Ω ~(10~3000Ω მორგებადი) წინაღობის ტოლერანტობა ±5% ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატი BeO რეზისტენტული ელემენტი სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +150°C-მდე (იხილეთ დენის დეგრადაცია) რეკომენდებული მონტაჟის პროცედურები დენის დეგრადაცია გადამუშავების პროფილი P/N დასახელება გამოყენების სიფრთხილე ■ ახლად შეძენილი ნაწილების შენახვის 6 თვეზე მეტი ვადის შემდეგ, გამოყენებამდე ყურადღება უნდა მიექცეს შედუღებადობას. რეკომენდებულია... -
RFTXXN-10CR2550TA ჩიპ-რეზისტორი RF რეზისტორი
მოდელი RFTXXN-10CR2550TA სიმძლავრე 10 W წინაღობა XX Ω (10~3000Ω მორგებადი) წინაღობის ტოლერანტობა ±5% ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატი AlN რეზისტენტული ელემენტი სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +150°C-მდე (იხილეთ დენის დეგრადაცია) რეკომენდებული მონტაჟის პროცედურები დენის დეგრადაცია გადამუშავების პროფილი P/N დასახელება გამოყენების სიფრთხილე ■ ახლად შეძენილი ნაწილების შენახვის 6 თვეზე მეტი ვადის შემდეგ, გამოყენებამდე ყურადღება უნდა მიექცეს შედუღებადობას. რეკომენდებულია... -
RFTXX-150RM2310 ფლანგური რეზისტორი RF რეზისტორი
მოდელი RFTXX-150RM2310 სიმძლავრე 150 W წინააღმდეგობა XX Ω (10~1500Ω მორგებადი) წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% ტევადობა 5.6 PF@100Ω ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატი BeO საფარი AL2O3 სამონტაჟო ფლანგი თითბერი ტყვია სპილენძი ვერცხლის მოპირკეთება რეზისტენტული ელემენტი სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +150°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის შემცირების რეიტინგი) მონახაზი (ერთეული: მმ) გამტარი მავთულის სიგრძე აკმაყოფილებს მომხმარებლის მოთხოვნებს ზომის ტოლერანტობა: 5%, თუ სხვა რამ არ არის მითითებული. -
RFTXX-100RM2295 ფლანგური რეზისტორი RF რეზისტორი
მოდელი RFTXX-100RM2295 სიმძლავრე 100 W წინააღმდეგობა XX Ω (10~1500Ω მორგებადი) წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% ტევადობა 3.9 PF@100Ω ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატი BeO სამონტაჟო ფლანგი თითბერი ტყვია 99.99% სუფთა ვერცხლი რეზისტენტული ელემენტი სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +150°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის შემცირების რეიტინგი) მონახაზი (ერთეული: მმ) ტყვიის მავთულის სიგრძე აკმაყოფილებს მომხმარებლის მოთხოვნებს ზომის ტოლერანტობა: 5%, თუ სხვა რამ არ არის მითითებული რეკომენდებული დაძაბულობის რეზისტენტობა... -
RFTXX-100RM2510B ფლანგური რეზისტორი RF რეზისტორი
მოდელი RFTXX-100RM2510B სიმძლავრე 100 W წინააღმდეგობა XX Ω (10~1000Ω მორგებადი) წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% ტევადობა 4.0 PF@100Ω ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატი BeO საფარი AL2O3 სამონტაჟო ფლანგი თითბერი ტყვია სპილენძი ვერცხლის მოპირკეთება რეზისტენტული ელემენტი სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +150°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის შემცირების რეიტინგი) მონახაზი (ერთეული: მმ) გამტარი მავთულის სიგრძე აკმაყოფილებს მომხმარებლის მოთხოვნებს ზომის ტოლერანტობა: 5%, თუ სხვა რამ არ არის მითითებული S... -
RFTXX-10RM7750 ფლანგური რეზისტორი RF რეზისტორი
მოდელი RFTXX-10RM7750 სიმძლავრე 10 W წინააღმდეგობა XX Ω (10~3000Ω მორგებადი) წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% ტევადობა 1.2 PF ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატი BeO საფარი AL2O3 სამონტაჟო ფლანგი თითბერი ტყვია 99.99% სუფთა ვერცხლი რეზისტენტული ელემენტი სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +150°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის შემცირების რეიტინგი) მონახაზი (ერთეული: მმ) ტყვიის მავთულის სიგრძე შეიძლება აკმაყოფილებდეს მომხმარებლის მოთხოვნებს ზომის ტოლერანტობა: 5%, თუ სხვა რამ არ არის მითითებული რეკომენდებული სტანდარ... -
RFTXXN-60RM1306 ფლანგური რეზისტორი RF რეზისტორი
მოდელი RFTXXN-60RM1306 სიმძლავრე 60 W წინააღმდეგობა XX Ω (10~2000Ω მორგებადი) წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% ტევადობა 2.9 PF@100Ω ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატი ALN საფარი AL2O3 სამონტაჟო ფლანგი თითბერი ტყვია 99.99% სუფთა ვერცხლი რეზისტენტული ელემენტი სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +150°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის შემცირების რეიტინგი) კონტურული ნახაზი (ერთეული: მმ) ტყვიის მავთულის სიგრძე შეიძლება აკმაყოფილებდეს მომხმარებლის მოთხოვნებს ზომის ტოლერანტობა: 5%, თუ სხვა რამ არ არის მითითებული რეკომენდებულია... -
RFTXX-60RM2006F ფლანგური რეზისტორი RF რეზისტორი
მოდელი RFTXX-60RM2006F სიმძლავრე 60 W წინააღმდეგობა XX Ω (10~2000Ω მორგებადი) წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% ტევადობა 1.2 PF@100Ω ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატი BeO საფარი AL2O3 სამონტაჟო ფლანგი სპილენძის ტყვია 99.99% სუფთა ვერცხლი რეზისტენტული ელემენტი სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +150°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის შემცირების რეიტინგი) კონტურული ნახაზი (ერთეული: მმ) ტყვიის მავთულის სიგრძე აკმაყოფილებს მომხმარებლის მოთხოვნებს ზომის ტოლერანტობა: 5%, თუ სხვა რამ არ არის მითითებული რეკომენდებულია... -
-
RFTXX-05CR2550B რადიოსიხშირული რეზისტორი
მოდელი RFTXX-05CR2550B სიმძლავრე 5 W წინაღობა XX Ω (10~3000Ω მორგებადი) წინაღობის ტოლერანტობა ±5% ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატი BeO რეზისტენტული ელემენტი სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +150°C-მდე (იხილეთ დენის დეგრადაცია) კონტურული ნახაზი (ერთეული: მმ) რეკომენდებული მონტაჟის პროცედურები დენის დეგრადაცია რეფლუქსის პროფილი P/N დასახელება გამოყენებისას ყურადღება ■ ახლად შეძენილი ნაწილების შენახვის 6 თვეზე მეტი ვადის შემდეგ, ყურადღება უნდა მიექცეს შედუღების უნარს... -
RFT50-60TM1306 DC~6.0GHz RF ტერმინაცია
მოდელი RFT50-60TM1306(R,L,I) სიხშირის დიაპაზონი DC~6.0GHz სიმძლავრე 60 W წინააღმდეგობის დიაპაზონი 50 Ω წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% VSWR 1.25 max ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატის მასალა BeOO თავსახურის მასალა Al2O3 ფლანგი ნიკელით მოპირკეთებული სპილენძი ტყვია 99.99% სტერლინგის ვერცხლი წინააღმდეგობის ტექნოლოგია სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +150°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის დეგრადაცია) ტიპიური მახასიათებლები: მონტაჟის მეთოდი სიმძლავრის დეგრადაცია P/N დასახელება ყურადღების მიქცევის საგანი... -
RFT50N-05TJ1225 DC~12.0GHz ტყვიის ტერმინაცია
მოდელი RFT50N-05TJ1225 სიხშირის დიაპაზონი DC~12.0GHz სიმძლავრე 5 W წინააღმდეგობის დიაპაზონი 50 Ω წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% VSWR DC~11.0GHz 1.25 მაქს. DC~12.0GHz 1.30 მაქს. ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატის მასალა AlN თავსახურის მასალა საშუალო ტყვია 99.99% სტერლინგის ვერცხლი წინააღმდეგობის ტექნოლოგია სქელი ფენა სამუშაო ტემპერატურა -55-დან +155°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის დეგრადაცია) ტიპიური მახასიათებლები: მონტაჟის მეთოდი სიმძლავრის დეგრადაცია ხელახალი ნაკადის დროისა და ტემპერატურის დიაგრამა: P/N დანიშნულება...
