პროდუქტები

RF ტერმინაცია

  • CT-02W-RA0612-1.85J-67G კოაქსიალური ფიქსირებული დაბოლოება

    CT-02W-RA0612-1.85J-67G კოაქსიალური ფიქსირებული დაბოლოება

    მოდელი CT-02W-RA0612-1.85J-67G სიხშირის დიაპაზონი DC~67.0GHz VSWR 1.30 მაქსიმალური სიმძლავრე 2W წინაღობა 50 Ω კონექტორის ტიპი 1.85-M (J) ზომები Φ6.4×11.9 მმ მუშაობის ტემპერატურა -55 ~ +125°C (იხილეთ სიმძლავრის შემცირების რეიტინგი) წონა 3 გ ROHS თავსებადია კი გამოიყენეთ ყურადღებით სიმძლავრის შემცირების რეიტინგი P/N დასახელება
  • CT-02W-RA0612-1.85J-67G კოაქსიალური ფიქსირებული დაბოლოება

    CT-02W-RA0612-1.85J-67G კოაქსიალური ფიქსირებული დაბოლოება

    მოდელი CT-01W-RA0814-1.0J-110G სიხშირის დიაპაზონი DC~110.0GHz VSWR 1.50 მაქს. სიმძლავრე 1W წინაღობა 50 Ω კონექტორის ტიპი 1.0-M (J) ზომები Φ7.5×13.7 მმ მუშაობის ტემპერატურა -55 ~ +125°C (იხილეთ სიმძლავრის დეგრადაცია) წონა 3 გ ROHS თავსებადია კი სიფრთხილე გამოიჩინეთ სიმძლავრის დეგრადაცია P/N დასახელება
  • RFT50-20TM7750(R,L) ფლანგური შეწყვეტა

    RFT50-20TM7750(R,L) ფლანგური შეწყვეტა

    მოდელი RFT50-20TM7750(R,L) სიხშირის დიაპაზონი DC~4.0GHz სიმძლავრე 20 W წინააღმდეგობის დიაპაზონი 50 Ω წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% VSWR 1.20 max ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატის მასალა BeO თავსახურის მასალა Al2O3 ფლანგი ნიკელით მოპირკეთებული სპილენძი ტყვია 99.99% სტერლინგის ვერცხლი წინააღმდეგობის ტექნოლოგია სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +155°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის დეგრადაცია) ტიპიური მახასიათებლები: მონტაჟის მეთოდი სიმძლავრის დეგრადაცია P/N დასახელება ყურადღებას საჭიროებს ...
  • RFT50-10TM7750(R,L) ფლანგური შეწყვეტა

    RFT50-10TM7750(R,L) ფლანგური შეწყვეტა

    მოდელი RFT50-10TM7750(R,L) სიხშირის დიაპაზონი DC~4.0GHz სიმძლავრე 10 W წინააღმდეგობის დიაპაზონი 50 Ω წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% VSWR 1.20 მაქს ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატის მასალა BeO თავსახურის მასალა Al2O3 ფლანგი ნიკელით მოპირკეთებული სპილენძი ტყვია 99.99% სტერლინგის ვერცხლი წინააღმდეგობის ტექნოლოგია სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +155°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის დეგრადაცია) ტიპიური მახასიათებლები: მონტაჟის მეთოდი სიმძლავრის დეგრადაცია P/N დასახელება ყურადღებას საჭიროებს ...
  • RFT50A-05TM1104 ფლანგური შეწყვეტა

    RFT50A-05TM1104 ფლანგური შეწყვეტა

    მოდელი RFT50A-05TM1104 სიხშირის დიაპაზონი DC~6.0GHz სიმძლავრე 5 W წინააღმდეგობის დიაპაზონი 50 Ω წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% VSWR 1.20 მაქს. ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატის მასალა Al2O3 თავსახურის მასალა Al2O3 ფლანგი ნიკელით მოპირკეთებული სპილენძი ტყვია 99.99% სტერლინგის ვერცხლი წინააღმდეგობის ტექნოლოგია სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +155°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის დეგრადაცია) ტიპიური მახასიათებლები: მონტაჟის მეთოდი სიმძლავრის დეგრადაცია P/N დასახელება ყურადღების მიქცევის საკითხები ■ A...
  • RFT50N-05TJ1225 DC~12.0GHz ტყვიის ტერმინაცია

    RFT50N-05TJ1225 DC~12.0GHz ტყვიის ტერმინაცია

    მოდელი RFT50A-05TM0404 სიხშირის დიაპაზონი DC~6.0GHz სიმძლავრე 5 W წინააღმდეგობის დიაპაზონი 50 Ω წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% VSWR 1.20 მაქს. ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატის მასალა Al2O3 თავსახურის მასალა Al2O3 ტყვია 99.99% სტერლინგის ვერცხლი წინააღმდეგობის ტექნოლოგია სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +155°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის დეგრადაცია) ტიპიური მახასიათებლები: მონტაჟის მეთოდი სიმძლავრის დეგრადაცია ხელახალი ნაკადის დროისა და ტემპერატურის დიაგრამა: P/N დასახელება ყურადღებას საჭიროებს...
  • RFT50-10CT0404 ჩიპის ტერმინაცია

    RFT50-10CT0404 ჩიპის ტერმინაცია

    მოდელი RFT50-10CT0404 სიხშირის დიაპაზონი DC~10.0GHz სიმძლავრე 10 W წინააღმდეგობის დიაპაზონი 50 Ω წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±5% VSWR DC~6.0GHz 1.20MaxDC~10.0GHz 1.30Max ტემპერატურის კოეფიციენტი <150ppm/℃ სუბსტრატის მასალა BeO წინააღმდეგობის ტექნოლოგია სქელი ფენა მუშაობის ტემპერატურა -55-დან +155°C-მდე (იხილეთ სიმძლავრის დეგრადაცია) ტიპიური მახასიათებლები: მონტაჟის მეთოდი სიმძლავრის დეგრადაცია ხელახალი ნაკადის დროისა და ტემპერატურის დიაგრამა: P/N დასახელება ყურადღების მიქცევის საკითხები ■ შენახვის შემდეგ...
  • ჩიპის შეწყვეტა

    ჩიპის შეწყვეტა

    ჩიპის შეერთება ელექტრონული კომპონენტების შეფუთვის გავრცელებული ფორმაა, რომელიც ფართოდ გამოიყენება მიკროსქემის დაფების ზედაპირული დამონტაჟებისთვის. ჩიპური რეზისტორები რეზისტორების ერთ-ერთი ტიპია, რომელიც გამოიყენება დენის შეზღუდვის, წრედის წინაღობის და ლოკალური ძაბვის რეგულირებისთვის. ტრადიციული ბუდისებრი რეზისტორებისგან განსხვავებით, პაჩ-ტერმინალური რეზისტორები არ საჭიროებენ მიკროსქემის დაფაზე მიერთებას ბუდეების საშუალებით, ისინი პირდაპირ მიდუღებით არიან მიმაგრებული მიკროსქემის დაფის ზედაპირზე. შეფუთვის ეს ფორმა ხელს უწყობს მიკროსქემის დაფების კომპაქტურობის, მუშაობისა და საიმედოობის გაუმჯობესებას.

  • კოაქსიალური შეუსაბამობის შეწყვეტა

    კოაქსიალური შეუსაბამობის შეწყვეტა

    შეუსაბამობის შეწყვეტას, რომელსაც ასევე შეუსაბამობის დატვირთვას უწოდებენ, კოაქსიალური დატვირთვის სახეობაა. ეს არის სტანდარტული შეუსაბამობის დატვირთვა, რომელსაც შეუძლია მიკროტალღური ენერგიის ნაწილის შთანთქმა და მეორე ნაწილის არეკლვა და გარკვეული ზომის მდგომი ტალღის შექმნა, ძირითადად მიკროტალღური გაზომვებისთვის გამოიყენება.

  • ტყვიით გამოწვეული შეწყვეტა

    ტყვიით გამოწვეული შეწყვეტა

    ტყვიით შემაერთებელი ტერმინაცია არის რეზისტორი, რომელიც დამონტაჟებულია წრედის ბოლოს, რომელიც შთანთქავს წრედში გადაცემულ სიგნალებს და ხელს უშლის სიგნალის არეკვლას, რითაც გავლენას ახდენს წრედის სისტემის გადაცემის ხარისხზე. ტყვიით შემაერთებელი ტერმინალები ასევე ცნობილია, როგორც SMD ერთმიმყვანიანი ტერმინალური რეზისტორები. ისინი დამონტაჟებულია წრედის ბოლოს შედუღებით. მთავარი დანიშნულებაა წრედის ბოლოს გადაცემული სიგნალის ტალღების შთანთქმა, სიგნალის არეკვლის მიერ წრედზე ზემოქმედების თავიდან აცილება და წრედის სისტემის გადაცემის ხარისხის უზრუნველყოფა.